3月27日上午，应材料学院孙志梅教授邀请，日本国家工业科学技术研究所(National Institute of Advanced Industrial Science & Technology, AIST)首席科学家Juni Tominaga教授在图书馆五楼报告厅为我校师生作了题为“界面相面存储材料”的研究报告。讲座由材料学院孙志梅教授主持。
讲座前，孙志梅教授向大家简要介绍了Tominaga教授的学术成就，Tominaga教授已经在相变存储领域从事了20多年的研究工作，在国际著名学术期刊Nature Chemistry、Nature Nanotechnology等发表论文170多篇，并拥有113项日本专利和85项美国和欧盟专利；撰写了多部书籍。材料学院院长刘兴军教授授予Tominaga教授南强讲座纪念牌。
Tominaga教授首先向同学们简要介绍了什么是相变存储，“相变存储利用物质在晶态和非晶态之间快速转变来储存信息，利用两相间的巨大的光学和电学性质差异来读取信息”，它具有非易失、速度快、能耗低、使用寿命长等诸多优点，很有可能在未来的几年内取代传统的内存和FLASH闪存，给计算机工业带来革命性的变化。相变存储的介质称作相变材料。然后教授又给大家介绍了他最新在Nature Nanotechnology上发表的研究成果“界面相变存储材料”，他首次通过溅射的方法得到了超晶格结构的相变存储材料，发现在这种结构下，材料的相变性能得到了很大的提升，他们还发现这种超晶格结构的材料同时具有拓扑绝缘体的性质。此外，Tominaga教授还对进一步降低相变存储材料的功耗问题提出了自己的看法，并从理论上进行了推导证明。讲座结束后，Tominaga教授耐心地对在场师生提出的问题进行了细致的解释，讲座在热烈的掌声中圆满结束。
（材料学院）
